शोधकर्ताओं ने सबसे छोटा मेमोरी डिवाइस अभी तक बनाया है, एक अग्रिम जो उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स और मस्तिष्क-प्रेरित कंप्यूटिंग के लिए तेज, छोटे और अधिक ऊर्जा-कुशल इलेक्ट्रॉनिक चिप्स का नेतृत्व कर सकता है।
अमेरिका में ऑस्टिन में टेक्सास विश्वविद्यालय के वैज्ञानिकों ने भी भौतिकी को पाया जो इन छोटे उपकरणों के लिए घनी स्मृति भंडारण क्षमताओं को अनलॉक करता है हाल ही में नेचर नैनोटेक्नॉलॉजी जर्नल में प्रकाशित शोध में, वैज्ञानिकों ने उस समय के सबसे पतले मेमोरी स्टोरेज डिवाइस के आकार को कम कर दिया, जिससे क्रॉस-सेक्शन क्षेत्र सिकुड़कर सिर्फ एक वर्ग नैनोमीटर तक रह गया।
शोधकर्ताओं के अनुसार, इन उपकरणों में घनी स्मृति भंडारण क्षमता को पैक करने वाले भौतिकी पर नियंत्रण पाने से उन्हें उपकरण बहुत छोटा बनाने में सक्षम बनाया गया। उन्होंने कहा कि सामग्री में अल्ट्रासाउंड छेद उच्च घनत्व स्मृति भंडारण क्षमता को अनलॉक करने की कुंजी प्रदान करते हैं।
“जब एक अतिरिक्त धातु परमाणु उस नैनोस्केल छेद में जाता है और उसे भरता है, तो यह सामग्री में इसकी कुछ चालकता को स्वीकार करता है, और यह एक परिवर्तन या स्मृति प्रभाव की ओर जाता है,” अध्ययन के सह-लेखक डेजी अकिन्वांडे ने समझाया।
हालांकि उन्होंने यौगिक मोलिब्डेनम डाइसल्फ़ाइड का उपयोग किया – जिसे MoS2 के रूप में भी जाना जाता है – जैसा कि उनके अध्ययन में प्राथमिक नैनोमीटर के रूप में है, शोधकर्ताओं का मानना है कि खोज सैकड़ों संबंधित एटमॉनिक पतली सामग्रियों पर लागू हो सकती है।
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